聯華電子今(14)日宣布推出用于顯示驅動IC的14奈米嵌入式高壓(eHV) FinFET技術平臺，并可提供制程設計套件(Process Design Kit, PDK)供客戶進行設計導入。此全新制程已于聯電12A廠完成驗證，可提升電源效率與效能，同時縮小芯片尺寸，助力新一代顯示技術的發展。相較于聯電目前量產中最先進的22奈米制程eHV解決方案，14奈米eHV FinFET平臺可降低40%的功耗與縮小35%的芯片面積，進一步延長電池續航力，并支援更小型、輕薄的驅動模塊設計，以提供高階與摺疊式OLED智能型手
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聯電 14nm eHV FinFET 手機顯示
中國芯片自給率正加速提升。據日經新聞報道，由 13 家龍頭企業高管共同制定的目標顯示，中國半導體產業計劃到 2030 年實現 80% 的芯片自給率，同時著力建設國產 7nm 生產線，并確保14nm 工藝穩定量產。這一目標的提出，正值上海 Semicon China 展會期間，國內芯片設備廠商集中展示最新技術成果，凸顯產業自主化決心。報道提及，中微公司（AMEC）已推出面向邏輯芯片的國產設備，成為先進制程國產替代的重要進展。《南華早報》指出，在美出口管制背景下，先進封裝被視為中國強化芯片制造能力的關鍵突破口
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芯片自給率 國產 7nm 14nm
市場近期盛傳三星將押注資源發展2納米，預計最快明年于美國德州廠率先導入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。 半導體業界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應用，未來仍會是主流客戶之首選。盤點目前智能手機旗艦芯片，皆使用臺積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業者今年預計迭代進入第
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臺積電 3納米 FinFET 三星 2納米
美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領投，技術合作伙伴 GlobalFoundries 戰略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業領導者對其獨特的硅基氮化鎵技術的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術為中心的創新者轉變為產品驅動型公司。這家科技公司由麻省理工學院 （MIT） 的研究人員于 2012
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Finwave 短期投資 GaN FinFET
在該公司的北美技術研討會上，臺積電業務發展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節點”。臺積電的策略是開發 N3 工藝的多種變體，創建一個全面的、可定制的硅資源。“我們的目標是讓集成芯片性能成為一個平臺，”Zhang 說。 截至目前，可用或計劃中 N3 變體是：N3B：基準 3nm 工藝。N3E：成本優化的版本，具有更少的 EUV 層數，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強版本，在相
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FINFET TSMC
4月17日消息，華為又一款新機已經亮相工信部，而它就是暢享80。現在，有博主曝光了暢享80搭載的處理器信息，搭載的是海思麒麟710A（GPU Mali-G51）。麒麟710A是由中芯國際完成芯片代工制造環節，采用14nm制程工藝，主頻2.0GHz的一款麒麟家族SoC芯片，屬于此前麒麟710的降頻版。"麒麟710A"代表著實現國產化零的突破，是中國半導體芯片技術的破冰之舉。至于這款新機的其他配置，還搭載了6.67英寸屏幕（峰值亮度1000nit），內置6620mAh超大容量"巨
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半導體 芯片技術 華為 14nm 麒麟芯
3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產基地，預計今年下半年正式進入全面量產階段。在前期試產中，臺積電已經做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠同步投產之后，月產能將攀升至5萬片晶圓，最大設計產能更可達8萬片。與此同時，市場對2nm芯片的需求持續高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創造301億美元的營收，這一數字凸顯先進制程在AI、高性能計算等領域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶，蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
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臺積電 2nm 量產 蘋果首發 晶圓 GAAFET架構 3nm FinFET
3月26日，蘇州天準科技股份有限公司（股票代碼：688003.SH）宣布，旗下矽行半導體公司研發的明場納米圖形晶圓缺陷檢測裝備TB2000已正式通過廠內驗證，將于SEMICON 2025展會天準展臺（T0-117）現場正式發布。這標志著公司半導體檢測裝備已具備14nm及以下先進制程的規模化量產檢測能力。這是繼TB1500突破40nm節點后，天準在高端檢測裝備國產化進程中的又一里程碑。核心技術自主研發TB2000采用全自主研發的高功率寬光譜激光激發等離子體光源系統、深紫外大通量高像質成像系統，配合高行頻TD
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14nm 天準科技 TB2000 晶圓缺陷檢測
在上周的VLSI研討會上，英特爾詳細介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數據中心客戶代工服務的基礎。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場效應晶體管 （FinFET） 結構的產品，該公司于 2011 年率先采用這種結構。但它也包括英特爾首次使用一項技術，該技術在FinFET不再是尖端技術之后很長一段時間內對其計劃至關重要。更重要的是，該技術對于該公司成為代工廠并為其他公司制造高性能芯片的計劃至關重要。它被稱為偶極子功
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英特爾 FinFET 代工計劃
這款測試芯片是業界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質與功能。這款專用測試芯片通過加快產品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩健的產品設計，堅定客戶對Dolphin Design產品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業領先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產權（IP）以及ASIC設計的行業領先供應商Dolphin De
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Dolphin Design 12納米 12nm FinFet 成功流片
3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發展路線圖至關重要。
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FinFET
摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設計解決方案。●? ?業界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統的性能和功耗效率。●? ?集成的設計流程提升了開發者的生產率，提高了仿真精度，并加快產品的上市時間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業界領先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設計系列產品，為追求更高預測精度
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新思科技 是德科技 Ansys 臺積公司 4 納米 射頻 FinFET 射頻芯片設計
●? ?新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程，提供了開放、高效的射頻設計解決方案●? ?強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設計效率，實現更準確的仿真，從而更快將產品推向市場是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程，助力RFIC半導體設計加速發展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
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近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開發計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，FinFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術，預計2024年進入量產，之后還有FSFET和CFET等技術。△Source：IMEC隨著時間發展，轉移到更小的制程節點會越來越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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